稳压二极管（又称齐纳二极管）是一种独特设计的半导体器件，其核心功能是在反向击穿情形下稳定电压。下面内容是其职业情形及稳压原理的详细分析：
一、职业情形：反向击穿情形
稳压二极管通过独特工艺制造，使其在反向击穿区能够长期稳定职业而不损坏。与普通二极管不同，普通二极管反向击穿后会永久损坏，而稳压二极管正是利用反向击穿特性实现稳压功能。其职业情形可分为：
1. 正常职业情形：
正向偏压时，与普通二极管相同，正向导通。
反向电压低于击穿电压时，反向电流极小（微安级），处于截止情形。
2. 反向击穿情形（稳压情形）：
当反向电压 ≥ 击穿电压（稳定电压 (U_Z)）时，进入击穿区。
此时反向电流急剧增大（毫安级），但两端电压 (U_Z) 基本保持不变。
二、稳压原理：动态电阻与电流调节
在击穿情形下，稳压二极管通过下面内容机制稳定电压：
1. 动态电阻极小：
击穿区伏安特性曲线陡峭，电压变化量（(Delta U_Z)）与电流变化量（(Delta I_Z)）比值极小（动态电阻 (R_Z approx 0)）。
例如，电流从 (I_Z1}) 增至 (I_Z2}) 时，(U_Z) 波动极小（如 ±0.1V）。
2. 电流自适应调节：
若输入电压升高，反向电流 (I_Z) 自动增大，通过串联的限流电阻 (R_S) 分压，使负载电压 (U_L) 保持稳定。
若负载电流变化，(I_Z) 反向补偿（负载电流↑ → (I_Z)↓），维持总电流不变，从而稳定 (U_Z)。
三、关键职业条件
为确保稳定击穿且不损坏，需满足：
1. 串联限流电阻 (R_S)：
限制 (I_Z) 不超过最大允许值 (I_Zmax})，防止过热损坏。
计算公式：(R_S = fracV_in}
U_Z}I_Z})，其中 (I_Z) 需在 (I_Zmin})（最小稳压电流）和 (I_Zmax}) 之间。
2. 输入电压范围：
(V_in}) 需高于 (U_Z)（典型设计 (V_in} = 2 sim 3imes U_Z)），避免浅度击穿导致稳压效果差。
3. 功率限制：
功耗 (P_Z = U_Zimes I_Z) 需低于额定功耗 (P_Zmax})，否则烧毁。
四、重要参数与选型
| 参数 | 意义 | 选型要点 |
| 稳定电压 (U_Z) | 标称稳压值（实际存在±偏差） | 按需选择，离散性较大需实测 |
| 动态电阻 (R_Z) | (Delta U_Z / Delta I_Z)，越小稳压越好 | 优选 (R_Z U_Z) 时导通，触发继电器或熔断器。
3. 电压基准：为运放、ADC等提供高精度参考电压。
4. 限幅电路：钳位信号峰值电压（如保护运放输入）。
六、注意事项
避免并联使用：因 (U_Z) 离散性，并联易导致电流不均衡。
温度影响：(U_Z) 随温度漂移，高精度场景需选温度补偿型（如2DW系列）。
替代方案：大功率或高精度场景建议用线性稳压器（如S-1142系列）或DC-DC模块。
综上，稳压二极管通过反向击穿情形下的动态电阻极小特性实现稳压，需严格限制电流和功耗，并合理设计外围电路。其成本低、响应快，适用于中小功率稳压及保护电路，但大电流或高精度需求时需选用其他方案。
